Intel і Micron Technology оголосили про створення першої в світі 20-нанометровій (нм) NAND-пам’яті з багаторівневою структурою комірок (multi level cell, MLC) ємністю 128 гігабіт (Гбіт). Крім того, сторони оголосили про початок масового виробництва 20-нм NAND-пам’яті ємністю 64 Гбіт.

Розроблений спільним підприємством Intel і Micron (IM Flash Technologies, IMFT), – це перший в індустрії монолітний модуль. Він дозволяє створити чіп розміром з ніготь ємністю 1 Тбіт, використовуючи всього 8 кристалів. Він подвоює ємність і продуктивність 20-нм модуля ємністю 64 Гбіт. Новий модуль задовольняє специфікації ONFI 3.0, здатний досягати швидкості 333 МТ / с і допомагає створювати більш ефективні і дешеві твердотільні накопичувачі для смартфонів, планшетів і промислових систем зберігання даних.

Сторони стверджують, що ключем до успіху в області 20-нм техпроцесу стала інноваційна структура ядер. У 20-нм NAND-пам’яті вперше використовується планарна структура, яка дозволяє подолати проблеми, супутні більш складних технологій виробництва, і забезпечити продуктивність і надійність, властиві попередньому поколінню продуктів. Планарна структура успішно вирішує складності масштабування стандартної комірки NAND з плаваючим затвором шляхом інтеграції технології Hi-K/Metal Gate Stack.

Попит на NAND-модулі високої ємності обумовлений трьома пов’язаними між собою тенденціями: зростанням цифрового всесвіту, міграцією в «хмару» і поширенням портативних пристроїв. Зі зростанням обсягів цифрового контенту користувачі розраховують, що їхні дані будуть доступні на будь-яких пристроях, синхронізуючись в «хмарі». Для надання якісних сервісів центрів обробки даних необхідні системи зберігання даних більш високої ємності та швидкодії. Саме такі й дозволяє створювати NAND-пам’ять. У споживчому сегменті одним з прикладів є відтворення HD-відео, що вимагає наявність великого вільного простору. Нові розробки відкривають додаткові перспективи для створення високопродуктивної, компактною пам’яті для мобільних споживчих пристроїв та «хмарних» серверів.

Intel і Micron відзначають, що обсяги виробництва 20-нм NAND-модулів ємністю 64 Гбіт, які компанії досягнуто у грудні, дозволять виконати швидкий перехід до 128-Гбіт модулям в 2012 р. До поставок тестових зразків модулів ємністю 128 Гбіт планується приступити в січні, а в першій половині 2012 р. – до серійного виробництва.

Читайте на cайті: